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SI8487DB-T1-E1

Référence fabricant:	SI8487DB-T1-E1
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Feuilles de données:	SI8487DB-T1-E1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4.9A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	4-Microfoot
Paquet / caisse	4-UFBGA

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