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IRLU3110ZPBF

Référence fabricant:	IRLU3110ZPBF
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Feuilles de données:	IRLU3110ZPBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	HEXFET®
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	42A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3980 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	140W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	IPAK (TO-251)
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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