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Rochester Electronics / IRLU3802PBF

IRLU3802PBF

Référence fabricant: IRLU3802PBF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: HEXFET POWER MOSFET
Feuilles de données: IRLU3802PBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesHEXFET®
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C84A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)2.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 5 V
Vgs (max)±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2.49 pF @ 6 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)88W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurI-PAK
Paquet / caisseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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État des stocks: 7178

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