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IR (Infineon Technologies) / IPD60R600CPBTMA1

IPD60R600CPBTMA1

Référence fabricant: IPD60R600CPBTMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
Feuilles de données: IPD60R600CPBTMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesCoolMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C6.1A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 220µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 100 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-TO252-3
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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