IR (Infineon Technologies) / IPD60N10S4L12ATMA1
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IPD60N10S4L12ATMA1
| Référence fabricant: | IPD60N10S4L12ATMA1 |
| Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
| Feuilles de données: | IPD60N10S4L12ATMA1 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 100 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±16V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3170 pF @ 25 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 94W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | PG-TO252-3-313 |
| Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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40 $ US par FedEx.
Arriver dans 3-5 jours
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