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IR (Infineon Technologies) / IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

Référence fabricant: IPB015N08N5ATMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Feuilles de données: IPB015N08N5ATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesOptiMOS™
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C180A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.8V @ 279µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs222 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds16900 pF @ 40 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)375W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurPG-TO263-7
Paquet / caisseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 2222

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