IR (Infineon Technologies) / IPB042N10N3GE8187ATMA1
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IPB042N10N3GE8187ATMA1
| Référence fabricant: | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
| Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
| Partie de la description: | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
| Feuilles de données: | IPB042N10N3GE8187ATMA1 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | OptiMOS™ |
| Paquet | Tape & Reel (TR) |
| État de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 100 V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V |
| Fonction FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 214W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de l'appareil fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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