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Rochester Electronics / RJK0366DPA-02#J0B

RJK0366DPA-02#J0B

Référence fabricant: RJK0366DPA-02#J0B
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Feuilles de données: RJK0366DPA-02#J0B Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C25A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1.01 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)30W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-WPAK
Paquet / caisse8-WFDFN Exposed Pad
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 5000

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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