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Renesas Electronics America / RJK0346DPA-01#J0B

RJK0346DPA-01#J0B

Référence fabricant: RJK0346DPA-01#J0B
Fabricant: Renesas Electronics America
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Feuilles de données: RJK0346DPA-01#J0B Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C65A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7650 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)65W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-WPAK
Paquet / caisse8-PowerWDFN
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