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P3MS650103H-4CR

Référence fabricant:	P3MS650103H-4CR
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	IC CLK GEN EMI REDUCTION 4WDFN
Feuilles de données:	P3MS650103H-4CR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Taper	-
PLL	Yes
Saisir	LVCMOS
Production	LVCMOS
Nombre de circuits	1
Rapport - Entrée: Sortie	1:1
Différentiel - Entrée: Sortie	No/No
Fréquence - Max	60MHz
Diviseur / multiplicateur	No/No
Tension - Alimentation	1.6V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	-20°C ~ 85°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	4-WFDFN
Package de l'appareil fournisseur	4-WDFN (1.0x1.2)

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	P3MS650100H-4CR Rochester Electronics
	P3MS650103H-4CR Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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