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NXH100B120H3Q0STG

Référence fabricant:	NXH100B120H3Q0STG
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tray
État de la pièce	Active
Type IGBT	Trench Field Stop
Configuration	2 Independent
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	50 A
Puissance - Max	186 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (max)	200 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	9.075 nF @ 20 V
Saisir	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package de l'appareil fournisseur	22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

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Modèles populaires

	NXH100B120H3Q0STG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH100B120H3Q0PTG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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