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Roving Networks / Microchip Technology / MSCMC120AM07CT6LIAG

MSCMC120AM07CT6LIAG

Référence fabricant: MSCMC120AM07CT6LIAG
Fabricant: Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FET2 N Channel (Phase Leg)
Fonction FETSilicon Carbide (SiC)
Vidange à la tension de source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.7mOhm @ 240A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 60mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs690nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds11400pF @ 1000V
Puissance - Max1350W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseModule
Package de l'appareil fournisseurSP6C LI
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