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Microsemi / APTSM120AM09CD3AG

APTSM120AM09CD3AG

Référence fabricant: APTSM120AM09CD3AG
Fabricant: Microsemi
Partie de la description: MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FET2 N-Channel (Dual)
Fonction FETSilicon Carbide (SiC)
Vidange à la tension de source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs1224nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 1000V
Puissance - Max-
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseModule
Package de l'appareil fournisseurModule
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: Expédition le jour même

Le minimum: 1

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