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2N7334

Référence fabricant:	2N7334
Fabricant:	Microsemi
Partie de la description:	MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Feuilles de données:	2N7334 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	4 N-Channel
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de l'appareil fournisseur	MO-036AB

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