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| Référence fabricant: | APTC80H29T1G |
| Fabricant: | Microsemi |
| Partie de la description: | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 |
| Feuilles de données: | APTC80H29T1G Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Bulk |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Fonction FET | Standard |
| Vidange à la tension de source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2254pF @ 25V |
| Puissance - Max | 156W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | SP1 |
| Package de l'appareil fournisseur | SP1 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
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