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Référence fabricant: | RJM0603JSC-00#12 |
Fabricant: | Renesas Electronics America |
Partie de la description: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
Feuilles de données: | RJM0603JSC-00#12 Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Paquet | Tray |
État de la pièce | Active |
Type de FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
Fonction FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
Puissance - Max | 54W |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
Package de l'appareil fournisseur | 20-HSOP |
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Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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