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LN100LA-G

Référence fabricant:	LN100LA-G
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 1200V
Feuilles de données:	LN100LA-G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Cascoded)
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Puissance - Max	350mW
Température de fonctionnement	-25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-VFLGA
Package de l'appareil fournisseur	6-LFGA (3x3)

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