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FDPC1012S

Référence fabricant:	FDPC1012S
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Feuilles de données:	FDPC1012S Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET	Standard
Vidange à la tension de source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8nC, 25nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Puissance - Max	800mW (Ta), 900mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Package de l'appareil fournisseur	Powerclip-33

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