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QJD1210010

Référence fabricant:	QJD1210010
Fabricant:	Powerex, Inc.
Partie de la description:	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Feuilles de données:	QJD1210010 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Puissance - Max	1080W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package de l'appareil fournisseur	Module

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