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Référence fabricant: | APTMC120HM17CT3AG |
Fabricant: | Roving Networks / Microchip Technology |
Partie de la description: | POWER MODULE - SIC MOSFET |
Feuilles de données: | APTMC120HM17CT3AG Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | * |
Paquet | Bulk |
État de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel |
Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 147A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 332nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5576pF @ 1000V |
Puissance - Max | 750W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package de l'appareil fournisseur | SP3 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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