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J3E082EUA/S0BE503V

Référence fabricant:	J3E082EUA/S0BE503V
Fabricant:	NXP Semiconductors
Partie de la description:	TRANSISTOR JFET
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	*
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	-
Tension - Panne (V (BR) GSS)	-
Vidange à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	-
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Résistance - RDS (activé)	-
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package de l'appareil fournisseur	-

OPTIONS D'ACHAT

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Le minimum: 1

Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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