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NXPSC20650W-AQ

Référence fabricant:	NXPSC20650W-AQ
Fabricant:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Partie de la description:	SILICON CARBIDE POWER DIODE
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Configuration de la diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	650 V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	20A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	60 µA @ 650 V
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (Max)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3
Package de l'appareil fournisseur	TO-247-3

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Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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