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NXP Semiconductors / A2T18S261W12NR3

A2T18S261W12NR3

Référence fabricant: A2T18S261W12NR3
Fabricant: NXP Semiconductors
Partie de la description: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Feuilles de données: A2T18S261W12NR3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de transistorLDMOS
La fréquence1.805GHz ~ 1.88GHz
Gagner18.2dB
Tension - Test28 V
Estimation actuelle (ampères)10µA
Figure de bruit-
Courant - Test1.5 A
Puissance - Sortie280W
Tension - nominale65 V
Paquet / caisseOM-880X-2L2L
Package de l'appareil fournisseurOM-880X-2L2L
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