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IDC28D120T6MX1SA2

Référence fabricant:	IDC28D120T6MX1SA2
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Feuilles de données:	IDC28D120T6MX1SA2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	1200 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	50A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	2.05 V @ 50 A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inversée @ Vr	10 µA @ 1200 V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	Die
Package de l'appareil fournisseur	Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 175°C

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	IDC21D120T6MX1SA2 IR (Infineon Technologies)
	IDC28D120T6MX1SA2 IR (Infineon Technologies)

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