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BYV26E

Référence fabricant:	BYV26E
Fabricant:	EIC Semiconductor, Inc.
Partie de la description:	DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO41
Feuilles de données:	BYV26E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bag
État de la pièce	Active
Type de diode	Avalanche
Tension - Inversion CC (Vr) (Max)	1000 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If	2.5 V @ 1 A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	75 ns
Courant - Fuite inversée @ Vr	5 µA @ 1000 V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	DO-204AL, DO-41, Axial
Package de l'appareil fournisseur	DO-41
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C

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