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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NGTD23T120F2WP
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NGTD23T120F2WP
| Référence fabricant: | NGTD23T120F2WP |
| Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Partie de la description: | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Feuilles de données: | NGTD23T120F2WP Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Bulk |
| État de la pièce | Active |
| Type IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max) | 1200 V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 120 A |
| Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Puissance - Max | - |
| Énergie de commutation | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
| Condition de test | - |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | Die |
| Package de l'appareil fournisseur | Die |
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