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SSM5H08TU,LF

Référence fabricant:	SSM5H08TU,LF
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
Feuilles de données:	SSM5H08TU,LF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSIII
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	1.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 750mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	125 pF @ 10 V
Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	UFV
Paquet / caisse	6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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