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TPCF8102(TE85L,F,M

Référence fabricant:	TPCF8102(TE85L,F,M
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Feuilles de données:	TPCF8102(TE85L,F,M Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSIII
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Vgs (max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1550 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead

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Modèles populaires

	TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPCF8A01(TE85L) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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