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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NVATS4A103PZT4G

NVATS4A103PZT4G

Référence fabricant: NVATS4A103PZT4G
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK
Feuilles de données: NVATS4A103PZT4G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C60A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)60W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurATPAK
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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