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CP398X-CPDM303NH-CT

Référence fabricant:	CP398X-CPDM303NH-CT
Fabricant:	Central Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
Feuilles de données:	CP398X-CPDM303NH-CT Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78mOhm @ 1.8A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	Die
Paquet / caisse	Die

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