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TK1R4S04PB,LXHQ

Référence fabricant:	TK1R4S04PB,LXHQ
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
Feuilles de données:	TK1R4S04PB,LXHQ Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSIX-H
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	120A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 60A, 6V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	180W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	DPAK+
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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