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PMH550UPEH

Référence fabricant:	PMH550UPEH
Fabricant:	Nexperia
Partie de la description:	MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	800mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	640mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	900 pC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	54.8 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	360mW (Ta), 2.23W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	DFN0606-3 (SOT8001)
Paquet / caisse	3-XFDFN

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