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2SK2225-E

Référence fabricant:	2SK2225-E
Fabricant:	Renesas Electronics America
Partie de la description:	MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM
Feuilles de données:	2SK2225-E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12Ohm @ 1A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	984.7 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-3PFM
Paquet / caisse	TO-3PFM, SC-93-3

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