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NVMTSC1D3N08M7TXG

Référence fabricant:	NVMTSC1D3N08M7TXG
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	46A (Ta), 348A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.25mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	196 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14530 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	5.1W (Ta), 287W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN

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