L'image est pour référence, s'il vous plaît contactez-nous pour obtenir la vraie image

R6530ENZC17

Référence fabricant:	R6530ENZC17
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

REMARQUE: ROHM Semiconductor R6530ENZC17 est disponible sur chipnets.com. Nous ne vendons que des pièces neuves et originales et offrons une garantie d'un an. Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un meilleur prix, veuillez nous contacter, cliquez sur le chat en ligne ou envoyez-nous un devis.

Tous les composants Eelctronics seront emballés en toute sécurité grâce à la protection antistatique ESD.

package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 960µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2.1 nF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	86W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-3
Paquet / caisse	TO-3P-3 Full Pack

OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: Expédition le jour même

Le minimum: 1

Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ

Calcul du fret

40 $ US par FedEx.

Arriver dans 3-5 jours

Express :(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Livraison gratuite sur les premiers 0,5 kg pour les commandes supérieures à 150 $, le surpoids sera facturé séparément

Modèles populaires

Cet article a été ajouté à votre panier.