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DS2030Y-100#

Référence fabricant:	DS2030Y-100#
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
Feuilles de données:	DS2030Y-100# Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tray
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	NVSRAM
La technologie	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire	256Kb (32K x 8)
Interface mémoire	Parallel
Fréquence d'horloge	-
Temps de cycle d'écriture - mot, page	100ns
Temps d'accès	100 ns
Tension - Alimentation	4.5V ~ 5.5V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	256-BGA
Package de l'appareil fournisseur	256-BGA (27x27)

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