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MT54V512H18EF-10

Référence fabricant:	MT54V512H18EF-10
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Feuilles de données:	MT54V512H18EF-10 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	QDR™
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Quad Port, Synchronous
Taille mémoire	9Mb (512K x 18)
Interface mémoire	Parallel
Fréquence d'horloge	100 MHz
Temps de cycle d'écriture - mot, page	-
Temps d'accès	-
Tension - Alimentation	2.4V ~ 2.6V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	165-TBGA
Package de l'appareil fournisseur	165-FBGA (13x15)

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Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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