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70T651S12DR

Référence fabricant:	70T651S12DR
Fabricant:	Renesas Electronics America
Partie de la description:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
Feuilles de données:	70T651S12DR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tray
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Taille mémoire	9Mb (256K x 36)
Interface mémoire	Parallel
Fréquence d'horloge	-
Temps de cycle d'écriture - mot, page	12ns
Temps d'accès	12 ns
Tension - Alimentation	2.4V ~ 2.6V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	208-BFQFP
Package de l'appareil fournisseur	208-PQFP (28x28)

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