Micron Technology / MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
| Référence fabricant: | MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR |
| Fabricant: | Micron Technology |
| Partie de la description: | IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | Automotive, AEC-Q100 |
| Paquet | Tape & Reel (TR) |
| État de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | DRAM |
| La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | 1.866 GHz |
| Temps de cycle d'écriture - mot, page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1.1V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 200-WFBGA |
| Package de l'appareil fournisseur | 200-WFBGA (10x14.5) |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Arriver dans 3-5 jours
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