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71V416S12YG8

Référence fabricant:	71V416S12YG8
Fabricant:	Renesas Electronics America
Partie de la description:	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Feuilles de données:	71V416S12YG8 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Asynchronous
Taille mémoire	4Mb (256K x 16)
Interface mémoire	Parallel
Fréquence d'horloge	-
Temps de cycle d'écriture - mot, page	12ns
Temps d'accès	12 ns
Tension - Alimentation	3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	44-SOJ

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