Rochester Electronics / CYD09S36V18-200BBXI
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CYD09S36V18-200BBXI
| Référence fabricant: | CYD09S36V18-200BBXI |
| Fabricant: | Rochester Electronics |
| Partie de la description: | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA |
| Feuilles de données: | CYD09S36V18-200BBXI Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Tray |
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Volatile |
| Format de mémoire | SRAM |
| La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
| Interface mémoire | Parallel |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Temps de cycle d'écriture - mot, page | - |
| Temps d'accès | 3.3 ns |
| Tension - Alimentation | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 256-LBGA |
| Package de l'appareil fournisseur | 256-FBGA (17x17) |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
| Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
|---|---|---|
Le prix n'est pas disponible, s'il vous plaît RFQ |
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Calcul du fret
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