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IDT70P3337S250RM

Référence fabricant:	IDT70P3337S250RM
Fabricant:	Renesas Electronics America
Partie de la description:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
Feuilles de données:	IDT70P3337S250RM Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tray
État de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Taille mémoire	9Mb (512K x 18)
Interface mémoire	Parallel
Fréquence d'horloge	250 MHz
Temps de cycle d'écriture - mot, page	-
Temps d'accès	6.3 ns
Tension - Alimentation	1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	576-BBGA, FCBGA
Package de l'appareil fournisseur	576-FCBGA (25x25)

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