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BM60212FV-CE2

Référence fabricant:	BM60212FV-CE2
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
Feuilles de données:	BM60212FV-CE2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q100
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Configuration pilotée	High-Side and Low-Side
Type de canal	Synchronous
Nombre de conducteurs	2
Type de porte	IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation	10V ~ 24V
Tension logique - VIL, VIH	0.8V, 2V
Courant - Sortie de crête (source, puits)	4.5A, 3.9A
Type d'entrée	Non-Inverting
Tension côté haut - Max (Bootstrap)	1200 V
Temps de montée / descente (Typ)	50ns, 50ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Package de l'appareil fournisseur	20-SSOP-BW

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Modèles populaires

	BM60212FV-CE2 ROHM Semiconductor
	BM60213FV-CE2 ROHM Semiconductor

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