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STMicroelectronics / E-L6571BD

E-L6571BD

Référence fabricant: E-L6571BD
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Feuilles de données: E-L6571BD Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Configuration pilotéeHalf-Bridge
Type de canalSynchronous
Nombre de conducteurs2
Type de porteIGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation10V ~ 16.6V
Tension logique - VIL, VIH-
Courant - Sortie de crête (source, puits)170mA, 270mA
Type d'entréeRC Input Circuit
Tension côté haut - Max (Bootstrap)600 V
Temps de montée / descente (Typ)-
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur8-SO
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