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STMicroelectronics / TD350E

TD350E

Référence fabricant: TD350E
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: IC GATE DRVR IGBT HIGH-SIDE 14SO
Feuilles de données: TD350E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Configuration pilotéeHigh-Side
Type de canalSingle
Nombre de conducteurs1
Type de porteIGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation12V ~ 26V
Tension logique - VIL, VIH0.8V, 4.2V
Courant - Sortie de crête (source, puits)1.5A, 2.3A
Type d'entréeNon-Inverting
Tension côté haut - Max (Bootstrap)-
Temps de montée / descente (Typ)130ns, 75ns (Max)
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / caisse14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de l'appareil fournisseur14-SO
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État des stocks: 2074

Le minimum: 1

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