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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / B40C800G-E4/51

B40C800G-E4/51

Référence fabricant: B40C800G-E4/51
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA WOG
Feuilles de données: B40C800G-E4/51 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de diodeSingle Phase
La technologieStandard
Tension - Inversion de crête (max)65 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io)900 mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1 V @ 900 mA
Courant - Fuite inversée @ Vr10 µA @ 65 V
Température de fonctionnement-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Paquet / caisse4-Circular, WOG
Package de l'appareil fournisseurWOG
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