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SemiQ / GHXS030A120S-D1E

GHXS030A120S-D1E

Référence fabricant: GHXS030A120S-D1E
Fabricant: SemiQ
Partie de la description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Feuilles de données: GHXS030A120S-D1E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de diodeSingle Phase
La technologieSilicon Carbide Schottky
Tension - Inversion de crête (max)1.2 kV
Courant - Moyenne rectifiée (Io)30 A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 30 A
Courant - Fuite inversée @ Vr200 µA @ 1200 V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseSOT-227-4, miniBLOC
Package de l'appareil fournisseurSOT-227
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Le minimum: 1

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