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IR (Infineon Technologies) / FP50R07N2E4BOSA1
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FP50R07N2E4BOSA1
| Référence fabricant: | FP50R07N2E4BOSA1 |
| Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
| Partie de la description: | IGBT MODULE 650V 70A |
| Feuilles de données: | FP50R07N2E4BOSA1 Feuilles de données |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
| État des stocks: | En stock |
| Expédier de: | Hong Kong |
| Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- REMARQUE
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spécification
| Taper | La description |
|---|---|
| Séries | - |
| Paquet | Bulk |
| État de la pièce | Active |
| Type IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max) | 650 V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70 A |
| Puissance - Max | - |
| Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| Courant - Coupure du collecteur (max) | 1 mA |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.1 nF @ 25 V |
| Saisir | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Module |
| Package de l'appareil fournisseur | Module |
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