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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-ETF075Y60U

VS-ETF075Y60U

Référence fabricant: VS-ETF075Y60U
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: IGBT MOD 600V 109A EMIPAK-2B
Feuilles de données: VS-ETF075Y60U Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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Séries-
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type IGBTTrench
ConfigurationThree Level Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)600 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)109 A
Puissance - Max294 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic1.93V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (max)100 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce4.44 nF @ 30 V
SaisirStandard
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseEMIPAK-2B
Package de l'appareil fournisseurEMIPAK-2B
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