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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GB75SA120UP

VS-GB75SA120UP

Référence fabricant: VS-GB75SA120UP
Fabricant: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Partie de la description: IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
Feuilles de données: VS-GB75SA120UP Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type IGBTNPT
ConfigurationSingle
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)-
Puissance - Max658 W
Vce (activé) (Max) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (max)250 µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce-
SaisirStandard
Thermistance NTCNo
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / caisseSOT-227-4, miniBLOC
Package de l'appareil fournisseurSOT-227
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